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样品经色谱柱分离后收集,再经荧光分光光度计测荧光强度,影响因素多,测定复杂,后的液相色谱-荧光法则可以不经衍生化和收集分离物,只经化学除杂,浓缩后直接进样即可。用该法测定贯叶连翘中金丝桃素的含量也取得了较好的结果。液相色谱-示差折光测黄芪精口服液中黄芪甲苷的含量也都取得了较为满意的结果。对于只有紫外末端吸收,用紫外检测时灵敏度低,基线易漂移,示差折光检测其易受外界条件干扰,蒸发散射检测器能克服以上不足,响应值只与样品质量有关,其信号相应与质量成正比,不同化合物,质量相同则信号相应基本一致。
用网络分析仪测试时，测试端口是标准50Ω同轴线缆，因此在连接被测电缆时要求使用转接头或夹具，而这些接头和夹具的S参数未知，需要去除其影响，才能获得被测线缆的实际参数。目前常用的方法是去嵌入或夹具移除法，这些方法要求设计的夹具和微带校准件，校准后移除夹具的S参数。其难点在于夹具及其校准件的，通常校准件的参数是理论设计值，跟实际值有一定差距，并且校准和得到的夹具自身S参数，可能造成实测数据曲线的波动，甚至错误。
电磁流量计按其出现故障时间的不同可划分为调试期和运行期出现的故障。以下即为常出现的有关电磁流量计的故障现象。调试期故障一般出现在仪表初次调试期间，一旦仪表后，电磁流量计故障即可排除。引起电磁流量计调试期常见故障有不当、外界环境的干扰、流体特性。流体管道系统和仪表等方面此类故障一般是由传感器位置不当引发，将传感器在容易积聚气体的工业管网高点，液体经流量传感器直接排入大气，形成测量管内出现非满管现象，传感器装在流体自上向下流的垂直管道上，容易形成排空现象。
关于关电源EMI（Electro-MagneticInterference）的研究，有些从EMI产生的机理出发，有些从EMI产生的影响出发，都提出了许多实用有价值的方案。这里分析与比较了几种有效的方案，并为关电源EMI的措施提出新的参考建议。关电源电磁干扰的产生机理关电源产生的干扰，按噪声干扰源种类来分，可分为尖峰干扰和谐波干扰两种;若按耦合通路来分，可分为传导干扰和辐射干扰两种。现在按噪声干扰源来分别说明：二极管的反向恢复时间引起的干扰高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，在其受反偏电压而转向截止时，由于PN结中有较多的载流子积累，因而在载流子消失之前的一段时间里，电流会反向流动，致使载流子消失的反向恢复电流急剧减少而发生很大的电流变化。
Lamb(兰姆)波是二维波,与三维体波相比具有衰减速度慢,传播距离远的特点,因此常被用于大型板材的长距离及快速无损检测中。板材中兰姆波与管中、变截面波导介质中的导波一样,具有频散性与多模态性。加上环境噪声等多方面因素的影响,导波检测时传感器接收到的Lamb波信号非常复杂,属于非平稳随机信号,需要利用有效的信号技术提取有用的信息成分才能确定合适的激励方式,获得更好的检测成像效果。传统的Lamb波信号的方法包括反射系数法、傅里叶变换法、小波变换法、动态光法等,但是这些方法都有各自的不足。
从计算机鼠标到高速网络路由器等设备均能够重新编写设备的固件和硬件，从而进行现场升级。上文提及的四家公司（Atmel、赛普拉斯、Microchip和NXP）均可“胶连”逻辑，帮助减轻主器的负荷，或是无需使用外部逻辑。就的逻辑模块类型和这些逻辑模块彼此互联的方式以及与定时器、UART和IO引脚等板载模块互联的方式而言，每家公司都采取了不同的方法。因此有必要了解这些厂家各自是如何实现内部可编程逻辑的，以便为选择自己项目的解决方案出决策。
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些。在使用MOS管设计关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。
